속도 10배 빠른 노어 메모리 개발

출처 ☞ http://www.dt.co.kr/contents.html?article_no=2010012102010251650001&ref=naver

서울대 박병국 교수팀… 용량도 기존보다 32배 커져
 

현재보다 10배 이상 빠르고 최대 용량이 32배까지 커진 노어(NOR) 플래시메모리 기술이 국내 연구진에 의해 개발됐다. 노어 플래시메모리는 휴대전화, 스마트폰, TV 등의 운영체계 저장에 주로 이용돼, 이 기술 개발로 훨씬 빠르고 기능이 다양한 차세대 디지털기기들이 선보일 수 있을 전망이다.

서울대 박병국 교수(사진)팀은 평면 형태의 기존 제품과 달리 원뿔 구조를 채택한 노어 플래시메모리 소자를 개발, 또다른 방식의 플래시메모리인 낸드(NAND)에 근접하는 속도와 용량을 얻는 데 성공했다고 20일 밝혔다.

플래시메모리는 회로형태에 따라 낸드형과 노어형으로 구분되는데, 낸드플래시는 내부회로가 단순해 고집적 대용량화에 유리해 디지털카메라, MP3플레이어 등의 데이터 저장용도로 주로 쓰인다. 노어형은 이에 비해 용량과 집적도가 떨어지지만 처리속도가 빨라 휴대전화, 가전제품 등의 운영체계 저장에 주로 쓰인다.

노어형은 특히 구조상 전자 이동 효율이 낮아 정보기록 속도가 느리고, 많은 금속 접촉과 복잡한 배선구조 때문에 집적도가 떨어져 향후 5년 내에 성능과 집적도 증가에 한계가 올 것으로 전망돼 왔다.

연구팀은 평면 형태의 메모리 소자를 원뿔 모양으로 바꿔 이러한 문제점을 해결했다.

소자 채널을 원뿔 형태로 해 그 주위를 저장노드와 게이트가 감싸는 형태로, 원뿔 끝부분에 전자가 집중되도록 함으로써 정보 기록과 삭제 효율을 크게 높였다. 이를 통해 정보기록 속도가 1마이크로초(μs) 미만으로 10배 이상 개선했다. 또 셀당 면적이 기존 구조의 5분의 1 수준으로 좁아짐에 따라 집적도가 높아져 현재 노어 플래시의 최대용량인 1Gb의 32배에 달하는 32Gb까지 구현할 수 있게 했다.

이조원 테라급나노소자개발사업단장은 "이 기술 개발로 현재 노어 플래시 시장을 주도하고 있는 인텔을 뛰어넘을 수 있는 기술 경쟁력을 확보하게 됐다"고 말했다.

이 연구는 교육과학기술부 21세기 프론티어 연구개발사업 중 테라급나노소자개발사업단(단장 이조원)의 지원을 받아 진행됐으며, 전자소자 분야의 권위지인 IEEE 일렉트론 디바이스 레터스 12월호에 게재됐다.

안경애기자 naturean@